Com que el molibdè té les característiques d'alt punt de fusió, alta conductivitat elèctrica, baixa impedància específica, bona resistència a la corrosió i protecció del medi ambient,objectius de molibdès'utilitzen àmpliament a la indústria electrònica, com ara elèctrodes per a pantalles de pantalla plana, cèl·lules solars de pel·lícula fina i accessoris. Informació de la línia, ara feu saber a Xiaobian i coneixeu les característiques dels objectius de molibdè en els productes de tungstè i molibdè.
1. Objectiu de molibdè d'alta puresa
En general, la puresa de l'objectiu de pulverització de molibdè hauria de ser almenys del 99,95 per cent. Tanmateix, amb la millora contínua de la mida dels substrats de vidre a la indústria LCD i d'acord amb la mida dels substrats de vidre i l'entorn d'aplicació, cal que la puresa dels objectius de pulverització de molibdè sigui del 99,99 per cent -99. 999 per cent o fins i tot més.
2. Objectiu de molibdè d'alta densitat
En el procés de recobriment de pols, quan es bombardeja l'objectiu de polverització amb baixa densitat, a causa de l'alliberament sobtat de gas existent als porus del material objectiu, es formen partícules o partícules diana a gran escala per esquitxar, o el material de la pel·lícula es forma. sotmesa a danys secundaris després de la formació de la pel·lícula. El bombardeig d'electrons secundari forma una esquitxada de partícules, la presència de les quals pot degradar la qualitat de la pel·lícula. Per tal de reduir els porus del sòlid del material objectiu i millorar el rendiment de la pel·lícula, generalment es requereix que el material objectiu de pulverització tingui una densitat més alta.
3. Mida del gra
En general, l'objectiu de polverització de molibdè té una estructura policristalina i la mida del gra pot variar des de micròmetres fins a mil·límetres. Els estudis experimentals han demostrat que la velocitat de pulverització de l'objectiu de gra de molibdè a microescala és més ràpida que la del gra gruixut, i l'objectiu amb una diferència menor en la mida del gra de molibdè té una distribució de gruix més uniforme de la pel·lícula dipositada.
4. Direcció de cristal·lització
Atès que els àtoms de l'objectiu són simplement sputtering en la direcció d'una disposició estricte hexagonal d'àtoms durant la sputtering, per tal d'aconseguir la velocitat de sputtering, la velocitat de sputtering sovint augmenta canviant l'estructura cristal·lina de l'objectiu. La direcció cristal·logràfica de l'objectiu també té una gran influència en la uniformitat del gruix de la pel·lícula sputtered. Per tant, l'obtenció d'una estructura diana amb una certa orientació cristal·logràfica és crucial per al procés de pulverització de pel·lícules primes.
5. Conductivitat tèrmica
Els fabricants de productes de tungstè i molibdè us diuen que l'objectiu de pulverització de molibdè s'ha de connectar al xassís de coure lliure d'oxigen (o altres materials com l'alumini) abans de la pulverització, de manera que la conductivitat tèrmica entre l'objectiu de molibdè i el xassís es pugui garantir durant el procés de sputtering. Després de l'enquadernació, cal passar una inspecció ultrasònica per assegurar-se que l'àrea no unida dels dos és inferior al 2 per cent, per tal de complir els requisits de la polverització d'alta potència sense caure.
6. Rendiment objectiu de molibdè
Puresa: molibdè pur superior o igual al 99,95 per cent, molibdè d'alta temperatura superior o igual al 99 per cent (afegiu elements de terres rares)
Densitat: superior o igual a 10,2 g/cm3
Punt de fusió: 2610 graus
Especificacions: objectiu rodó, objectiu de placa, objectiu giratori
L'entorn adequat per a l'objectiu de molibdè produït per Baoji Yusheng Metal Technology Co., Ltd. és un entorn de buit o un entorn de protecció de gas inert. El contingut de molibdè pur en els productes de molibdè que oferim és alt, la resistència a alta temperatura és de 1200 graus i la resistència a alta temperatura de l'aliatge de molibdè és de 1700 graus. Els objectius de molibdè produïts per la nostra empresa són d'alta qualitat, preu raonable i lliurament ràpid.
